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本申请涉及半导体器件。除其他以外，本文讨论了包括第一导电层和第二导电层的半导体器件，所述第一导电层包括栅道和漏接触区，并且所述第二导电层包括漏导体，所述漏导体的至少一部分覆盖所述栅道的至少一部分。半导体器件的第一表面可以包括耦合到栅道的栅焊...该专利属于快捷半导体（苏州）有限公司;快捷半导体公司所有，仅供学习研究参考，未经过快捷半导体（苏州）有限公司;快捷半导体公司授权不得商用。