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本实用新型提供一种深沟槽超结结构的保护环，位于半导体衬底上，包括：竖向条状沟槽；横向条状沟槽，与竖向条状沟槽竖直相接，构成一个或者多个环状沟槽；以及外延材质，填充于竖向条状沟槽和横向条状沟槽内，将同一个环状沟槽的竖向条状沟槽和横向条状沟槽在...
该专利属于上海先进半导体制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海先进半导体制造股份有限公司授权不得商用。

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