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本实用新型涉及一种单基岛埋入型单圈多芯片正装无源器件静电释放圈封装结构，所述结构包括基岛（1）和引脚（2），所述基岛（1）正面设置有芯片（4），所述芯片正面与引脚正面之间及芯片之间用金属线（5）相连接，所述基岛（1）和引脚（2）周围区域以及...
该专利属于江苏长电科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江苏长电科技股份有限公司授权不得商用。

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