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本发明提供一种化合物半导体发光元件的制造方法，其用于制造具有如下特征的化合物半导体发光元件：导电性薄膜（8）的透射率高、接触电阻低且导电性薄膜（8）的薄层电阻低。本发明的化合物半导体发光元件的制造方法的特征在于，包括：在基板（1）上形成由I...
该专利属于夏普株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过夏普株式会社授权不得商用。

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