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一种晶体管，该晶体管包含：包括注入基板之第一杂质区的源极区、包括注入基板之第二杂质区的漏极区，以及包括形成于基板上之氧化层和形成于氧化层上之导电材料的栅极，氧化层包含第一侧和第二侧，第一侧形成在第一杂质区的一部分上，第二侧形成在第二杂质区的...
该专利属于沃特拉半导体公司所有，仅供学习研究参考，未经过沃特拉半导体公司授权不得商用。

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