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用于通过选择性偏置来降低高容量存储器中存储器阵列漏电的系统和方法技术方案
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下载用于通过选择性偏置来降低高容量存储器中存储器阵列漏电的系统和方法的技术资料
文档序号:8165787
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一种用于SRAM中漏电降低的源极偏置机制,其中SRAM单元被布置成多个扇区。在待机模式中,多个扇区中的扇区中的SRAM单元被取消选定,并且源极偏置电势被提供至多个扇区的SRAM单元。在工作模式中,提供至多个扇区中的选定的扇区的SRAM单元的...
该专利属于美商新思科技有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过美商新思科技有限公司授权不得商用。
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