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提供一种用于在先进集成电路的凹陷特征(206、207、208、209、211、213、264、275a、275b)中的连续钌金属膜(214)上多步骤镀铜的方法。连续钌金属膜(214)的使用可防止高纵横比(high-aspect-ratio)...
该专利属于东京电子株式会社;诺发系统有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过东京电子株式会社;诺发系统有限公司授权不得商用。

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