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一种制备有机卤代硅烷的工艺，该工艺包括在从200至800℃的温度下，在有效地使卤代硅烷的卤素基团中的一个或多个能够被来自有机卤化物的R基团取代的足够量的催化剂的存在下，使氢、具有式HaSiX4-a(I)的卤代硅烷和具有式RX(II)的有机卤...
该专利属于道康宁公司所有，仅供学习研究参考，未经过道康宁公司授权不得商用。

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