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有机卤代硅烷的制备制造技术

技术编号:8164972 阅读:173 留言:0更新日期:2013-01-08 11:59
一种制备有机卤代硅烷的工艺,该工艺包括在从200至800℃的温度下,在有效地使卤代硅烷的卤素基团中的一个或多个能够被来自有机卤化物的R基团取代的足够量的催化剂的存在下,使氢、具有式HaSiX4-a(I)的卤代硅烷和具有式RX(II)的有机卤化物结合以形成有机卤代硅烷和卤化氢,其中R是C1-C10烷基或C4-C10环烷基,每个X独立地是卤素,且下标a是0、1或2,其中氢与卤代硅烷的体积比率是从1∶3至1∶0.001,且氢与有机卤化物的体积比率是从1∶1至1∶0.001,且其中在结合之前任选地将催化剂用氢或卤代硅烷处理。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及制备有机卤代硅烷的工艺,该工艺包括在催化剂的存在下使氢、卤代硅烷和有机卤化物结合以形成有机卤代硅烷和卤化氢。
技术介绍
使有机卤代硅烷水解以产生各种各样聚有机硅氧烷,其被出售到许多不同的产业中。通常,商业上通过Mueller-Rochow直接方法来生产有机齒代娃烧,所述 Mueller-Rochow直接方法包括在铜催化剂和多种任选的促进剂的存在下将有机卤化物在零价硅上方穿过以产生有机卤代硅烷的混合物。制备零价硅的典型商业工艺包括在极高的温度下SiO2在电弧炉中进行的碳热还原。这些极端温度的产生需要大量的能量,这显著增加了生产零价硅的工艺的成本。因此,零价硅的使用也显著增加了生产有机卤代硅烷的成本。除通过直接方法以外,有机卤代硅烷已通过在高温下将这些氯硅烷及卤代烷的蒸气在细碎的铝或锌上方穿过,通过四氯化硅和多种甲基氯硅烷的烷基化来生产。然而,这一工艺导致产生大量的氯化铝或氯化锌,其在工业规模上的处理是高成本的。因此,对避免需要零价硅以及无需高成本处理副产物的生产有机卤代硅烷的更加经济的工艺存在需求。专利技术简述本专利技术涉及制备有机卤代硅烷的工艺,所述工艺包括在从200本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员:阿斯维尼·K·达什查尔斯·艾伦·霍尔D·卡佐利斯罗伯特·托马斯·拉森马修·J·麦克劳克林J·D·瓦恩兰
申请(专利权)人:道康宁公司
类型:
国别省市:

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