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本发明公开了一种改善SE刻蚀后方阻均匀性的扩散方法,其方法是将沉积和推进过程均分为两步进行;整个扩散工艺过程中,大氮一直保持通入状态;整体的工艺时间与原技术方案相比保持不变。整个工艺步骤依次为:进舟,升温,稳定,沉积-1,推进-1,沉积-2...该专利属于浙江鸿禧光伏科技股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过浙江鸿禧光伏科技股份有限公司授权不得商用。
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本发明公开了一种改善SE刻蚀后方阻均匀性的扩散方法,其方法是将沉积和推进过程均分为两步进行;整个扩散工艺过程中,大氮一直保持通入状态;整体的工艺时间与原技术方案相比保持不变。整个工艺步骤依次为:进舟,升温,稳定,沉积-1,推进-1,沉积-2...