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本发明描述了使用下述方法制造的半导体器件，所述方法为自对准方法，并包括使用再生长掩模材料进行选择性外延生长以形成器件的栅极区或源/漏区。所述方法可消除对离子注入的需要。所述器件可由诸如SiC等宽带隙半导体材料制成。所述再生长掩模材料可以为T...
该专利属于SSSCIP有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过SSSCIP有限公司授权不得商用。

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