温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了一种基于硅衬底氮化物的悬空HEMT器件，实现载体为硅衬底氮化物晶片，所述硅衬底氮化物晶片包括硅衬底层和位于其上部的氮化物器件层；本发明还设计了一种基于硅衬底氮化物的悬空HEMT器件的制备方法。本发明所设计的基于硅衬底氮化物的悬空...
该专利属于南京邮电大学所有，仅供学习研究参考，未经过南京邮电大学授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。