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本发明公开一种具有双面场板的晶体管元件及其制造方法，该晶体管元件包括外延堆叠层、源极、漏极、栅极、第一场板以及第二场板。外延堆叠层具有第一表面与第二表面。源极、漏极与栅极位于外延堆叠层上，且栅极位于源极与漏极之间。第一场板位于外延堆叠层的第...
该专利属于财团法人工业技术研究院所有，仅供学习研究参考，未经过财团法人工业技术研究院授权不得商用。

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