温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了一种瞬态电压抑制器，包括P衬底；P衬底上嵌设有N阱、第一N+有源注入区和第一P+有源注入区；N阱上嵌设有第二N+有源注入区和第二P+有源注入区；P衬底与N阱的交界处嵌设有第三N+有源注入区；第一N+有源注入区与第三N+有源注入区...
该专利属于浙江大学所有，仅供学习研究参考，未经过浙江大学授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。