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单芯片倒装先蚀刻后封装基岛埋入封装结构及其制造方法技术
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文档序号:8162583
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本发明涉及一种单芯片倒装先蚀刻后封装基岛埋入封装结构及其制造方法,它包括基岛(1)、引脚(2)和芯片(3),所述芯片倒装于基岛正面和引脚正面,所述芯片底部与基岛正面和引脚正面之间设置有底部填充胶(14),所述基岛外围的区域、基岛和引脚之间的...
该专利属于江苏长电科技股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过江苏长电科技股份有限公司授权不得商用。
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