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一种半导体器件的形成方法，包括：提供包括第一区域和第二区域的衬底；在衬底上分别形成位于第一区域及第二区域的栅极结构；形成第一侧墙及第二侧墙，所述第一侧墙覆盖第一区域的衬底表面、栅极结构两侧及表面，所述第二侧墙覆盖第二区域的衬底表面、栅极结构...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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