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本发明是提供一种制作半导体元件的方法。首先提供基底，该基底上具有第一区域及第二区域，然后依序形成高介电常数介电层、阻障层以及第一金属层于该基底表面。接着去除第二区域的第一金属层、形成多晶硅层并覆盖第一区域的第一金属层及第二区域的阻障层上以及...
该专利属于联华电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过联华电子股份有限公司授权不得商用。

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