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本发明公开一种具有金属栅极的半导体元件的制作方法，首先提供一表面形成有一第一晶体管与一第二晶体管的基底，且该第一晶体管内形成有一第一栅极沟槽。该第一晶体管具有一第一导电型式，该第二晶体管具有一第二导电型式，且该第一导电型式与该第二导电型式相...
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