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本发明公开了一种横向扩散金属氧化物半导体（LDMOS）器件的制作方法，包括：制作栅极；制作体区，其中所述体区包含体区弯度，其中制作所述体区包括：在所述半导体衬底上制作阱，其中所述阱为第一掺杂类型；制作基区，其中所述基区为所述第一掺杂类型，所...
该专利属于成都芯源系统有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过成都芯源系统有限公司授权不得商用。

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