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一种MOS晶体管的形成方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底表面形成介质层，所述介质层具有暴露半导体衬底的开口；沿所述开口在半导体衬底内形成凹槽；在所述凹槽内形成半导体填充层；形成填充满所述开口的栅极结构，本发明还提供采用上述方法的C...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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