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本发明公开了一种形成超级结MOSFET的PN柱层的方法，采用湿法刻蚀和干法刻蚀结合的工艺，即在掺杂硅外延层上形成硬掩模后，用介质膜刻蚀把硬掩模窗口打开，然后用湿法刻蚀在窗口处刻蚀出第一沟槽，再用干法各向异性刻蚀方法刻蚀出第二沟槽；由于湿法刻...
该专利属于上海华虹NEC电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹NEC电子有限公司授权不得商用。

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