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本发明涉及制造绝缘栅极半导体装置的方法及结构。在一个实施方案中，一种垂直型绝缘栅极场效应管包括形成于半导体材料内沟槽结构中的屏蔽电极。藉由使用栅极绝缘层，栅极电极与所述半导体材料隔离开。在形成所述屏蔽电极之前，可使用间隔层来沿着所述沟槽结构...
该专利属于半导体元件工业有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过半导体元件工业有限责任公司授权不得商用。

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