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一种制备低应力GaN薄膜的方法，通过光助法腐蚀溶剂腐蚀GaN/蓝宝石复合衬底，形成纳米结构的GaN/蓝宝石复合衬底；光助法腐蚀采用紫外光辅助腐蚀，腐蚀溶剂采用强碱和氧化剂混合溶液，即NaOH或KOH摩尔浓度范围为0.5-1.5M与K2S2O...
该专利属于南京大学所有，仅供学习研究参考，未经过南京大学授权不得商用。

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