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一种硅基巨磁阻效应微加速度传感器制造技术
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文档序号:8160634
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本发明公开了一种巨磁阻效应微加速度传感器,主要结构包括:键合基板;铁磁性薄膜,铁磁性薄膜设在键合基板上的矩形凹槽,即底槽中;和加速度敏感体,加速度敏感体设在键合基板上方并与键合基板相连接,且加速度敏感体包括:对应设在底槽上方的敏感质量块;敏...
该专利属于中北大学所有,仅供学习研究参考,未经过中北大学授权不得商用。
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