下载控制晶相合成带隙可调的单分散Cu2ZnSn(S1-xSex)4纳米晶的方法的技术资料

文档序号:8156207

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本发明公开了一种控制晶相合成带隙可调的单分散Cu2ZnSn(S1-xSex)4纳米晶的方法,首先将按计量配比的金属氯化物盐类和单质硫与硒混合于三颈烧瓶内,倒入醇类溶剂和少量油胺;然后将三颈烧瓶放于磁力搅拌电热套内搅拌、加热,同时通氮气或氩气...
该专利属于中国科学院合肥物质科学研究院所有,仅供学习研究参考,未经过中国科学院合肥物质科学研究院授权不得商用。

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