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本发明涉及一种用于具有保持直到被存取RTA模式的静态随机存取存储器SRAM的偏压电路。所述存储器由多个存储器阵列块(26)构成，所述多个存储器阵列块(26)各自包括8-T或10-T类型的SRAM单元、具有单独的读取及写入数据路径。偏压装置(...
该专利属于德州仪器公司所有，仅供学习研究参考，未经过德州仪器公司授权不得商用。

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