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本发明公开了一种相变随机存取存储(PCRAM)器件及其制造方法。所述PCRAM器件包括：半导体衬底；结字线，所述结字线被形成在所述半导体衬底上；外延字线，所述外延字线被形成在所述结字线上；以及开关器件，所述开关器件被形成在所述外延字线上。...
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