温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明涉及一种应变半导体沟道的形成方法。本发明通过在源极/漏极退火之后形成应变沟道，既避免了应变半导体沟道暴露于高温的源极/漏极退火处理，又由于减少了应变半导体沟道所要经历的处理步骤，而避免了半导体层损耗。另外，由于离子注入区的刻蚀速率明显...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。