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本发明涉及制造半导体器件的方法和半导体器件。根据该方法，首先在衬底上依次形成电介质层和伪栅极材料叠层，该伪栅极材料叠层可以包括硅层和位于硅层上的至少一个锗硅层。然后对伪栅极材料叠层和电介质层进行图案化以分别形成伪栅极和栅极电介质层。接下来，...
该专利属于中芯国际集成电路制造（北京）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（北京）有限公司授权不得商用。

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