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本发明公开了一种高耐用度相变存储器装置及其操作方法,该相变基础存储器装置及用于操作这类装置的方法克服了设定或复位失效模式且导致了增进的耐用度、可靠度及数据储存表现。高电流修复操作响应于相变存储器单元的设定或复位失效而进行。较高电流修复操作可...该专利属于旺宏电子股份有限公司;国际商用机器公司所有,仅供学习研究参考,未经过旺宏电子股份有限公司;国际商用机器公司授权不得商用。
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本发明公开了一种高耐用度相变存储器装置及其操作方法,该相变基础存储器装置及用于操作这类装置的方法克服了设定或复位失效模式且导致了增进的耐用度、可靠度及数据储存表现。高电流修复操作响应于相变存储器单元的设定或复位失效而进行。较高电流修复操作可...