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本实用新型公开了一种栅边缘凹槽型源场板结构高电子迁移率晶体管，属于半导体器件领域。所述高电子迁移率晶体管包括衬底层、缓冲层、势垒层、源极、栅极、漏极、钝化层和源场板；还包括栅漏区凹槽，所述栅漏区凹槽是在栅漏区沿栅极边缘、而在势垒层上刻蚀形成...
该专利属于电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学授权不得商用。

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