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三维存储装置包括半导体层的堆叠。在每个层上形成有相变存储器（PCM）单元阵列。每个PCM单元包括作为存储元件的可变电阻器，该可变电阻器的电阻可以变化。在一个层上，形成了包括行和列解码器、读出放大器和全局列选择器的外围电路，以控制存储器的操作...
该专利属于莫塞德技术公司所有，仅供学习研究参考，未经过莫塞德技术公司授权不得商用。

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