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本发明涉及半导体制造领域铜互连大马士革制造工艺，尤其涉及一种沟槽优先铜互连制作方法。本发明一种沟槽优先铜互连制作方法通过曝光和显影在可形成硬模的光刻胶中形成金属槽和通孔结构，再通过一次性刻蚀金属槽和通孔结构，形成金属互连线。替代了把金属槽刻...
该专利属于上海华力微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力微电子有限公司授权不得商用。

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