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本发明实施例公开了一种键合结构及其制备方法。所述键合结构包括：其内具有连接孔的本体层；位于所述连接孔内的导电物质填充体；位于本体层正面、导电物质填充体之上、且宽度大于所述导电物质填充体宽度的第一导电凸块；位于所述第一导电凸块上的第一缓冲层；...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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