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本发明公开了一种深沟渠电容的制作方法，包含：首先提供一基底包含一沟渠，然后形成一下电极于基底中并且围绕沟渠的底部，再形成一电容介电层环绕沟渠的一内侧侧壁，接着形成一第一导电层填入沟渠，之后形成一材料层于基底上，再形成一孔洞于所述材料层中，其...
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