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本发明公开了一种ZnS1-xSex半导体薄膜的制备方法，采用化学水浴沉积法，以硫酸锌作为Zn2+源，以硫脲作为S2-源，以硒代硫酸钠溶液作为Se2-源，以氨水作为缓冲剂，以水合肼作为络合剂，配制化学浴反应的前驱物，在衬底上制备粒径分布均匀、...
该专利属于广东工业大学所有，仅供学习研究参考，未经过广东工业大学授权不得商用。

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