温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了一种PMOS管的制作方法，在半导体衬底表面形成凸起结构的第一硬掩膜层，采用外延生长工艺在第一硬掩膜层两侧的半导体衬底之上分别生长漏极SiGe外延层和源极SiGe外延层，接着在漏极SiGe外延层和源极SiGe外延层之上形成第二硬掩...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。