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降低低压化成箔漏电流的化成处理方法技术
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文档序号:8023286
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本发明公开了一种降低低压化成箔漏电流的化成处理方法:将铝箔置于0.5~2%己二酸盐水溶液中,在40—60℃的条件下浸渍3分钟;取出置于3~10%的己二酸盐的水溶液中,在65-80℃、20mA/(cm)2、48V的条件下,化成20分钟;取出水...
该专利属于南通海星电子有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过南通海星电子有限公司授权不得商用。
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