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本发明公开了一种掩膜版、晶圆和测机方法，通过将套刻标记和曝光对准标记整合到一片掩膜版上，并以此掩膜版制造出具有前层结构的晶圆，使得套刻精度和最佳焦距的测量同时进行，且仅需一次曝光，节约了测机时间、控片的使用量并解决了现有工艺测量最佳焦距时易...
该专利属于上海宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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