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公开了一种半导体器件及其制造方法。该方法包括：在衬底上形成栅极；形成从内往外依次包括第一材料层、第二材料层和第三材料层的叠层，以覆盖衬底表面和栅极的上表面以及栅极的两侧侧壁；蚀刻叠层，以在栅极的两侧侧壁上形成侧壁间隔件，侧壁间隔件包括第一材...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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