下载直立式金属氧化物半导体整流二极管及其制作方法的技术资料

文档序号:7996818

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本发明公开一种直立式金属氧化物半导体整流二极管及制作方法。此方法包括下列步骤:提供半导体基板;于半导体基板的第一侧形成第一多沟槽结构和第一掩模层;于半导体基板的第二侧形成第二多沟槽结构;以及于第二多沟槽结构上形成栅极氧化层、多晶硅结构和金属...
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