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本发明公开一种直立式金属氧化物半导体整流二极管及制作方法。此方法包括下列步骤：提供半导体基板；于半导体基板的第一侧形成第一多沟槽结构和第一掩模层；于半导体基板的第二侧形成第二多沟槽结构；以及于第二多沟槽结构上形成栅极氧化层、多晶硅结构和金属...
该专利属于英属维京群岛商节能元件股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过英属维京群岛商节能元件股份有限公司授权不得商用。

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