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本发明实施例公开了一种界面层的形成方法，包括：提供衬底；通过热生长，在所述衬底上形成第一厚度的界面层；去除部分界面层，使所述界面层的厚度降低为第二厚度。通过本发明，可以采用目前的任意传统设备来制备出较厚的界面层，而后，去除部分界面层，使其厚...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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