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本发明公开了一种用于射频识别标签的静电保护电路，主要解决现有技术占用的面积大，引入的寄生电容大，启动电压高的缺点。本发明包括通过天线端口相连的集成PNP型双极晶体管和集成NPN型双极晶体管两个部分。集成PNP型双极晶体管对负向ESD脉冲进行...
该专利属于西安电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安电子科技大学授权不得商用。

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