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本发明公开了一种半导体器件、半导体芯片、半导体组件、半导体单元、半导体系统以及制造半导体器件的方法。当形成埋入式位线或增大绝缘层的厚度时，通过在一侧触点的相反侧形成气隙，该半导体器件能够减小相邻的位线之间的耦合电容，从而改善半导体器件的特性...
该专利属于海力士半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过海力士半导体有限公司授权不得商用。

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