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一种硅通孔的形成方法，包括：提供硅衬底，在硅衬底上形成层间介质层；在层间介质层上形成硬掩模结构，所述硬掩模结构包括依次位于层间介质层上的第一硬掩模层、第二硬掩模层，所述第一硬掩模层包含金属；形成依次贯穿所述硬掩模结构、层间介质层、且底部位于...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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