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公开了一种半导体器件及其制造方法。该方法包括：形成具有层间电介质层、超低介电常数材料层和插塞的结构，超低介电常数材料层位于层间电介质层上方，插塞贯穿层间电介质层和超低介电常数材料层，并且插塞由第一金属材料构成；通过蚀刻去除插塞的上方一部分，...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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