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本发明公开一种半导体元件及其制造方法。在基板上形成栅极。在栅极上方或下方形成源极与漏极。形成第一绝缘层，以覆盖源极与漏极。在源极与漏极之间形成半导体层。图案化第一绝缘层，以至少覆盖漏极。在图案化第一绝缘层上形成第二绝缘层。对第二绝缘层进行蚀...
该专利属于友达光电股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过友达光电股份有限公司授权不得商用。

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