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本发明提供一种相变存储材料及其制备方法，其中，所述相变存储材料为掺N富锑Sb-Te相变存储材料，所述富锑Sb-Te相变存储材料的化学通式为SbxTe，x≥0.5。相较于现有技术，所述掺N富锑Sb-Te相变存储材料具有结晶温度高、热稳定性好、...
该专利属于中国科学院上海微系统与信息技术研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院上海微系统与信息技术研究所授权不得商用。

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