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本发明涉及半导体器件及其制造方法。本发明提供了含有扭曲较小的悬空引线的半导体器件。在密封体的底面的外围处含有多个外部端子部分的QFN中，在其中间部处或在中间部与管芯焊盘附近的位置之间处将多条引线与QFN的多条长悬空引线链接。这些长悬空引线中...
该专利属于瑞萨电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过瑞萨电子株式会社授权不得商用。

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