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本发明一般地涉及半导体器件，更具体地说，涉及具有短路保护区域（60）的镶嵌栅极（100；图1C）及其制造方法。本发明的第一方面提供一种形成具有短路保护区域（60）的镶嵌栅极（100）的方法，该方法包括：形成镶嵌栅极，该栅极具有：衬底（12）...
该专利属于国际商业机器公司所有，仅供学习研究参考，未经过国际商业机器公司授权不得商用。

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